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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
在晶圓等的研磨和拋光過(guò)程中，晶圓和樹脂的厚度以超高速和高精度非接觸式測(cè)量。
詳情介紹：
特殊長(zhǎng)度
- 光學(xué)非接觸和非破壞性厚度測(cè)量是可能的
- 實(shí)現(xiàn)高測(cè)量再現(xiàn)性
- 可以進(jìn)行高速、實(shí)時(shí)的拋光監(jiān)控
- 實(shí)現(xiàn)長(zhǎng) WD（工作距離）并易于集成到設(shè)備中
- 使用來(lái)自主機(jī)設(shè)備的 LAN 由 TCP / IP 通信控制
- 可進(jìn)行多層厚度測(cè)量
- 可以測(cè)量每層臨時(shí)晶圓（臨時(shí)鍵合晶圓）的厚度。
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測(cè)量項(xiàng)目
- 厚度測(cè)量（5層）
采用
- 各種晶圓（硅等復(fù)合晶圓）的厚度測(cè)量
- 融入研磨、拋光、粘合等各種工藝
- 晶片以外的厚膜構(gòu)件的厚度測(cè)量
并入半導(dǎo)體工藝的示例
■ CMP工藝
■ 臨時(shí)粘合
■ 背磨
■ 濕法蝕刻
規(guī)格
* 1：測(cè)量初始參考樣品 AirGap 約 1000 μm 時(shí)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 (n = 20)
* 2：使用 WD80 mm 探頭時(shí)的設(shè)計(jì)值
設(shè)備配置
選項(xiàng)
■ 150 mm 樣品規(guī)格
■ 300 mm 樣品規(guī)格
■ 共同特點(diǎn)
- 對(duì)齊精細(xì)圖案并提供晶圓厚度和各種厚度信息
- 搭載高精度XY定位平臺(tái)（2μm以下），實(shí)現(xiàn)高精度定位。
- 兼容非晶圓形狀
- 您可以檢查測(cè)量點(diǎn)周圍的視野
測(cè)量示例
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Φ300 mm硅片厚度測(cè)量 |
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